- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
T4M10T600B
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 4A | |
| 浪涌电流 | 40A | |
| 门极平均耗散功率(PG(AV)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.6V | |
| 门极触发电流(Igt) | 10mA；10mA；10mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 1.3V；1.3V；1.3V | |
| 保持电流(Ih) | 15mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 灵敏栅极允许由微控制器和其他逻辑电路触发
- 对dv/dt具有高抗扰度，在+125°C时最小为50V/μs
- 规定了IGT、VGT和H的最小和最大值，便于设计
- 在+100°C时，通态电流额定值为4安培RMS
- 高浪涌电流为40安培
- 坚固、经济的TO - 220AB封装
- 在三个象限（Q1、Q2和Q3）中可运行
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 5532232110F
- XREWHT-L1-0000-00DF5
- 2727-25H
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- GR1G
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- RVT35HHTNWC00-B
- IPD1-18-S-R