商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 12mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- 27222182
- 3QHM53C0.25-18.33111
- PT250R-1500
- 135-6R2-JBW
- SIT1602BC-11-XXE-32.768000
- SIT9366AI-1E1-33E98.304000
- 02095001007
- 0050361816
- DMC-M 83-01 A1064
- LCD-18160
- SIT9365AC-4B1-25N168.040678
- SIT1602BC-81-18S-38.400000
- 25QHM53D0.5-12.800
- SIT9365AI-4E1-28N53.125000
- 8-2338183-2
- LCDX6-14AF-L
- SIT8208AI-82-28S-33.300000
- 3385-6014
- DEH-9P
- SIT8008BI-23-33E-49.090900
- CN3518-000