APT200GT60JR
APT200GT60JR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT200GT60JR
- 商品编号
- C17581164
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 195A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 8.65nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
Thunderbolt IGBT是新一代高压功率IGBT。采用非穿通技术，Thunderbolt IGBT具有卓越的耐用性和超快的开关速度。
商品特性
- 低正向压降
- RBSOA和SCSOA额定
- 低尾电流
- 高达50KHz的高频开关
- 集成栅极电阻
- 超低漏电流
- 低EMI，高可靠性
- 符合RoHS标准
- STEVAL-TSP005V2
- HTST-108-01-S-DV-P-TR
- 150-10-304-00-106000
- ELD205(TA)-V
- F51S23A
- 7-353908-9
- 7-6609939-2
- XREWHT-L1-R250-00B10
- SIT1602BC-72-18E-75.000000
- SFH21-PPPN-D08-ID-BK
- MS3437C30C
- SIT9365AI-4E3-28N30.720000
- 637V20005C2T
- SPMWH1228FD5WAQMSA
- 2807-4-01-50-00-00-07-0
- LY10-DC4BR
- 5530223104F
- LA1837ML-A1-TLM-E
- 171326-2
- 4-641217-7
- SIT8209AC-33-18S-212.500000