ULQ2003IDRG4SV
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 950mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@350mA,500uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 数量 | 7个NPN |
商品概述
ULQ200xA-Q1 器件是高压高电流达林顿晶体管阵列。每个器件由七个带有共阴极箝位二极管的npn达林顿对组成,适用于切换感性负载。单个达林顿对的集电极电流额定值为500 mA。可以通过并联达林顿对来提高电流能力。
ULQ2003A-Q1 每个达林顿对有一个2.7-kΩ串联基极电阻,可以直接与TTL或5-V CMOS器件一起工作。ULQ2004A-Q1 有一个10.5-kΩ串联基极电阻,可以直接与使用6 V至15 V供电电压的CMOS器件一起工作。ULQ2004A-Q1 所需的输入电流低于ULQ2003A-Q1。
应用领域
- 继电器驱动器
- 步进电机和直流有刷电机驱动器
- 灯泡驱动器
- 显示驱动器(LED 和气体放电)
- 线路驱动器
- 逻辑缓冲器
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