UPA2752GR-E2-A
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2752GR-E2-A
- 商品编号
- C17578616
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压，最大 -1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装0.8mm x 0.6mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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