- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规格涵盖了PNP硅开关晶体管四独立芯片阵列的性能要求。为每种器件类型提供了MIL - PRF - 19500中规定的四个级别的产品保证。辐射硬度保证（RHA）级别标识“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”会附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。最大额定值方面，除非另有规定，环境温度TA = +25℃，晶体管之间的最大电压应≥500V直流。
- MQ2N4393
- GCM219R72A562JA37J
- B57164K0152K000
- 61030000053
- SXO32C3A271-30.000M
- EVAL-ADXRS652Z
- SIT8208AI-23-28S-66.666000
- CTDT3316PF-223
- ECX-P23BN-24.000
- 1-6609940-5
- 141101-2
- 32207400
- GW PLLRA1.EM-N1N3-XX55-1-700-R18
- 3QHM572C0.125-96.000
- 1731120551
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- SG-8018CG 83.6658M-TJHSA0
- 540BAA200M000BCGR
- QTM750-33.33330MBA-T
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- SPHWH2L3D30ED4W0H3