商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
PTVA127002EV LDMOS场效应晶体管专为1200至1400 MHz频段的功率放大器应用而设计。其特性包括高增益和带螺栓固定法兰的热增强型封装。该器件采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，具备出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 低导通电阻。
- 小型表面贴装封装(TSMT8)。
应用领域
- 开关应用
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