- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
PTVA127002EV LDMOS场效应晶体管专为1200至1400 MHz频段的功率放大器应用而设计。其特性包括高增益和带螺栓固定法兰的热增强型封装。该器件采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，具备出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 低导通电阻。
- 小型表面贴装封装(TSMT8)。
应用领域
- 开关应用
- SIT8209AC-82-18S-166.666000
- IXXH30N65B4
- M85049/130-06F
- 660-023NF13H6-05
- ATV06-18SC
- SG-8018CG 86.4000M-TJHSA0
- HF1008-621F
- 628-47W1222-4TA
- 3QHM53D0.25-135.000
- 628-M09-222-GN1
- 2-2842250-6
- M6P-AAS1-220O
- CTCDRH3D28/LDF-680M
- PR1-R33-JTW
- SIT9365AI-4B2-33E168.040678
- SIT8208AI-31-33S-30.000000
- SIT8208AI-21-25E-33.000000
- 500T010J37E09
- AB915
- MX6AWT-H1-R250-000BB2
- 1511181558