商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
这些开发板采用半桥拓扑结构,板载栅极驱动器,采用EPC2023 eGaN场效应晶体管(FET)。这些开发板的目的是通过将所有关键组件集成在一块电路板上,简化这些eGaN FET的评估过程,该电路板可以轻松连接到任何现有的转换器中。开发板尺寸为2英寸×1.5英寸,采用德州仪器LM5113栅极驱动器,以半桥配置包含两个eGaN FET、电源和旁路电容。该电路板包含所有关键组件和布局,以实现最佳开关性能。还有各种探测点,便于进行简单的波形测量和效率计算。图1给出了电路的完整框图。
- 25QHM53C1.0-108.000
- 334-40-152-00-000000
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- MDM-51SL109B-A174
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- M22FP-ASB10-E230-W
- VS151111
- ATF13-2P-BM01
- TEL0146
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- SIT1602BC-72-28N-48.000000
- 3455R 75300001
- MS27501F13A
- SIT8208AC-83-28S-37.500000
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- STM037T4PQ
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