CMLDM7003G TR
2个N沟道 耐压:50V 电流:280mA
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMLDM7003G TR
- 商品编号
- C17571749
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 764pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这些器件是双N沟道增强型MOSFET,采用N沟道DMOS工艺制造,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。CMLDM7003采用美国引脚排列配置,而CMLDM7003J采用日本引脚排列配置。这些器件具有低rDS(ON)特性,并具备高达2kV的ESD保护。
商品特性
- 采用MOT先进双沟槽技术
- 低导通电阻（RDS(on)≤11.5mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%雪崩测试
- 无铅电镀；符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理-电机控制与驱动-同步整流-开关应用
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