MSCSM170AM45CT1AG
MSCSM170AM45CT1AG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM170AM45CT1AG
- 商品编号
- C17567991
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 耗散功率(Pd) | 319W |
商品概述
MSCSM170AM45CT1AG器件是一款相臂1700 V、64 A的碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。所有额定值在结温TJ = 25 ~ °C时给出,除非另有说明。该器件对静电放电敏感,必须遵循正确的处理程序。
商品特性
- SiC功率MOSFET:高速开关、低导通电阻、超低损耗
- SiC肖特基二极管:零反向恢复、零正向恢复、开关特性与温度无关、正向电压具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 开尔文源极,便于驱动
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 氮化铝(AlN)基板,提高热性能
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电动汽车电机和牵引驱动
- SG-8018CG 27.0016M-TJHSA0
- 117J8
- MDM-21PSP
- 0349126020
- SIT9365AI-4B2-25N322.265625
- LTMM-107-02-G-D-SM-K-TR
- SG-8018CG 89.6000M-TJHPA0
- SIT8208AI-8F-25S-40.000000X
- 0359650214
- SIT9365AI-1B3-33E25.000000
- 628-M09-222-GT2
- DMC-M 12-20 BNE
- 16_SMA-R50-2-149/133_NH
- XPGBWT-L1-R250-00DE5
- 5640700829F
- SIT9365AC-1E2-28E25.000000
- 5-292132-2
- SIT9365AC-4B3-33E133.333333
- 2510-18K
- XEGAWT-H0-0000-000-000000U40E1
- D38999/20WJ61BDL

