商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 275pF | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装(TSMT8)
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关
- 电机驱动
- FN9222E-6-06
- 0705450082
- CBD13W3F55R7N0X/AA
- TFC-114-02-F-D-A
- 630-2W2-650-1TC
- BPSC000606302R2TS0
- 702461602
- CXM-6-40-90-36-AC30-F4-3
- RSSD25168A5R60KB00
- 661010152222
- XMLBWT-02-0000-0000T60E1
- XREWHT-L1-0000-00A01
- MHDGWT-0000-000N0UJ427G
- SG-8018CE 19.5300M-TJHSA0
- 830-10-017-20-005000
- LRW0805WG10NGG001E
- SG-8018CE 59.6000M-TJHSA0
- 516-090-542-400
- XPGDWT-B1-R250-00LE5
- SIT8208AI-GF-18S-6.000000T
- XPCWHT-L1-R250-005E8

