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IXTA1R4N100P

1个N沟道耐压:1kV 电流:1.4A

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品牌名称: Littelfuse/IXYS
商品型号: IXTA1R4N100P
商品编号: C17566462
商品封装: TO-263AA
包装方式: 管装
商品毛重: 1.995克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

超快速体二极管
650 V击穿电压
同类最佳的导通电阻（RDS(on)）
降低开关损耗
导通电阻（RDS(on)）随温度变化小

应用领域

软开关拓扑
移相全桥（ZVS）、LLC应用 - 服务器
电信
电动汽车充电
太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	1kV
	连续漏极电流(Id)	1.4A
	导通电阻(RDS(on))	11.8Ω@10V,0.7A
	耗散功率(Pd)	63W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@50uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	17.8nC@10V
	输入电容(Ciss)	450pF
	反向传输电容(Crss)	6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	27pF