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ACNW3430-000E

5安培输出电流IGBT栅极驱动光耦合器，具备100 kV/us抗噪能力

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品牌名称: Broadcom(博通)
商品型号: ACNW3430-000E
商品编号: C17565942
商品封装: DIP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

博通ACNW3430包含一个LED，该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的IGBT和功率MOSFET。100 kV/μs的抗噪能力可防止在嘈杂的工业环境中出现错误驱动。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT。在IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 5标准中，ACNW3430的最高绝缘电压VIORM = 1414 V峰值。注意！建议在处理和组装此组件时采取正常的静电防护措施，以防止可能由ESD引起的损坏和/或性能下降。

商品特性

最大峰值输出电流5.0 A
轨到轨输出电压
带VE参考的欠压锁定（UVLO），用于负电源
最大传播延迟150 ns
最大传播延迟差90 ns
带迟滞的LED电流输入
在VCM = 1500 V时，最小共模抑制（CMR）为100 kV/μs
最大电源电流ICC = 5.0 mA
带迟滞的欠压锁定保护（UVLO）
宽工作VCC范围：15 V至30 V
工业温度范围：-40°C至105°C
安全认证
- UL认证，1分钟5000 VRMS
- CSA认证
- IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 5，VIORM = 1414 V峰值

应用领域

IGBT/MOSFET栅极驱动
交流和无刷直流电机驱动
可再生能源逆变器
工业逆变器
开关电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	逻辑输出光耦
	工作电压	1.45V
	隔离电压(Vrms)	5kV

	属性	参数值
	通道数	1
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	内置施密特触发器；欠压锁定