NTMFS4922NET1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:147A 电流:17.1A
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- 品牌名称
- PANASONIC(松下)
- 商品型号
- NTMFS4922NET1G
- 商品编号
- C17564987
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 147A；17.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 69.44W；930mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.505nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于基站应用的850 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为617 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容，可提升多尔蒂应用的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 用于617 MHz至960 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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