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HBDM60V600X-7
NPN+PNP 电流:600mA 电压:65V
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- HBDM60V600X-7
- 商品编号
- C17564838
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN；PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V；60V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA；600mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA；10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV；300mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100；250 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V；5.5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 0.95V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 0.75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
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