商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.1V@15V,25A | |
| 输入电容(Cies) | 1.8nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
VCES = 1200V，IC = 25A（在Tc = 80°C时）。若在引脚15、16和12之间连接直流电源，建议在引脚31和2之间连接去耦电容以降低开关过电压。引脚15和16必须短接在一起。
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT3
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20kHz
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA额定
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
应用领域
电机控制
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