EV1HMC8412LP2F由一块4层印刷电路板(PCB)组成,该电路板由10密耳厚的Rogers 4350B和Isola 370HR覆铜板制成,标称厚度为62密耳。EV1HMC8412LP2F上的RFIN和RFOUT端口配备了3.5毫米的母同轴连接器,相应的RF走线具有50欧姆的特性阻抗。EV1HMC8412LP2F上安装的组件适用于HMC8412 -40℃至 +85℃的整个工作温度范围。为了校准电路板走线损耗,在J1和J2连接器之间提供了直通校准路径。要使用直通校准路径,J1和J2必须安装RF连接器。有关直通校准路径的性能,请参考表1和图3。通过表面贴装技术(SMT)测试点连接器GND和VDD访问EV1HMC8412LP2F的接地路径和VDD引脚。在RBIAS引脚上包含一个用于VBIAS的辅助测试点,以便于访问(测试点组件参见图5)。EV1HMC8412LP2F上的RF走线是50欧姆接地共面波导。封装接地引脚和外露焊盘直接连接到接地平面。多个过孔连接顶部和底部接地平面,特别关注接地焊盘正下方的区域,以便为散热器提供足够的导电和导热性能。EV1HMC8412LP2F上的电源去耦电容代表了用于表征和验证该器件的配置。可以减少电容的数量,但这种减少因系统而异。建议在减少电容数量时,首先移除或合并离HMC8412最远的最大电容。