TH58BVG3S0HTA00

8Gbit CMOS NAND E2PROM

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品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TH58BVG3S0HTA00
商品编号: C17563206
商品封装: TFSOP-48-18.4mm
包装方式: 托盘
商品毛重: 2.307克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	2.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	-
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能

商品概述

TH58BVG3S0HTA00是一款单3.3V、8G位（8，858，370，048位）的NAND型电可擦除可编程只读存储器，其组织结构为（4096 + 128）字节 × 64页 × 4096块。该器件拥有一个4224字节的静态寄存器，允许以4224字节为单位在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单个块（256 K字节 + 8 K字节：4224字节 × 64页）为单位执行。该器件是一款串行型存储器，利用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，使其非常适用于固态文件存储、语音记录、静态相机图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。TH58BVG3S0HTA00芯片内置ECC逻辑，每528字节的8位读取错误可在内部纠正。

商品特性

模式：读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页读取、多页编程、多块擦除、ECC状态读取
模式控制：串行输入/输出命令控制
有效块数：最小4016块，最大4096块
电源：VCC = 2.7 ~ 3.6 V
访问时间：存储单元阵列到寄存器55 μs典型值（单页读取）/ 90 μs典型值（多页读取）；读取周期时间25 ns最小值（CL = 50pF）
编程/擦除时间：自动页编程340 μs/页典型值；自动块擦除2.5 ms/块典型值
工作电流：读取（25 ns周期）30 mA最大值；编程（平均）30 mA最大值；擦除（平均）30 mA最大值；待机100 μA最大值
封装：TSOP I 48-P-1220-0.50（重量：0.54 g典型值）
芯片内置每528字节的8位ECC功能。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	8Gbit
	接口类型	Parallel
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	25ns
	页写入时间(Tpp)	25ns