商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅和1个二极管 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 150mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
NTE系列功率模块采用行业标准封装,提供四个电路,可单独使用或作为功率控制构建模块。所有型号均具备高效的热管理功能,可大大延长循环寿命。
商品特性
- 行业标准封装和电路,可作为功率控制构建模块
- 每个器件的平均输出电流(Tc = +85°C):NTE5710、NTE5711为55A,NTE5720、NTE5721为90A
- 重复峰值反向电压(交流线路)VRRM为1200V(480V)
- 最大电压降VF:NTE5710、NTE5711(lF = 165A)为1.4V,NTE5720、NTE5721(lF = 270A)为1.4V
- 导通状态电流的临界上升率(TJ = +125°C)di/dt为100A/μs
- 关断状态电压的临界上升率(TJ = +125°C)dv/dt为500V/μs
- 最大非重复浪涌电流(1/2周期,60Hz)ITSM:NTE5710、NTE5711为1500A,NTE5720、NTE5721为1950A
- 熔断的最大I²t(t = 8.3ms):NTE5710、NTE5711为9350A²sec,NTE5720、NTE5721为15800A²sec
- 触发所需的最大栅极电流(+25°C)IGT为150mA
- 触发所需的最大栅极电压(+25°C)VGT为3.0V
- 平均栅极功率PG(AV)为500mW
- 最大峰值栅极电压(反向)VGM为5.0V
- 隔离电压VISOL为2500VRMS
- 工作结温范围TJ为 -40°C至 +125°C
- 每个模块的最大热阻,结到基板RthJC:NTE5710、NTE5711为0.25°C/W,NTE5720、NTE5721为0.14°C/W
- 630-5W1-240-4NB
- RSF2B-3R0-JTW
- 0010112163
- SG-8018CE 50.1833M-TJHPA0
- 660-024NF11R4-106-81A
- 598BCA001147DGR
- SIT8208AC-2F-28E-16.000000X
- DRV8434EVM
- P1330-154K
- 618009211721
- NCP15WL683J03RC
- 499
- SIT1602BC-73-33E-66.660000
- SIT8208AI-3F-18S-18.432000T
- 1030-3-05-15-00-00-01-0
- 4-644497-1
- RUK1608JR027CS
- CYUSB3016-BZXI
- RUK3216JR020CS
- GP55-1151-FTW
- 510BBA000244CAGR

