IRFR3411PBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:32A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR3411PBF
- 商品编号
- C17561274
- 商品封装
- D-PAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMRDM3575由互补的N沟道和P沟道增强型硅MOSFET组成，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)和低阈值电压的特点。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 无铅
应用领域
- 负载/电源开关-电源转换器电路-电池供电的便携式设备
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