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IRFR3411PBF

1个N沟道耐压:100V 电流:32A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRFR3411PBF
商品编号: C17561274
商品封装: D-PAK(TO-252AA)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.627克(g)

商品参数

商品概述

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚的I-Pak版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速开关
完全雪崩额定
无铅

应用领域

负载/电源开关-电源转换器电路-电池供电的便携式设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	32A
	导通电阻(RDS(on))	44mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	130W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	71nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.96nF
	反向传输电容(Crss)	40pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	250pF