我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
STY100NM60N实物图
  • STY100NM60N商品缩略图
  • STY100NM60N商品缩略图
  • STY100NM60N商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STY100NM60N

1个N沟道 耐压:600V 电流:98A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
该器件是一款采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款具有创新性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器
品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STY100NM60N
商品编号
C17561196
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
5.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)98A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)625W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)330nC@10V
输入电容(Ciss)9.6nF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型N沟道

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(30个/管，最小起订量 1 个)
个
起订量：1 个30个/管

总价金额：

￥ 0.00

近期成交0单