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STY100NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:98A
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- 描述
- 该器件是一款采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款具有创新性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STY100NM60N
- 商品编号
- C17561196
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 330nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻（RDSon）
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定值
- 高耐用性
- 开尔文源极便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5 电源连接器
- 高集成度
应用领域
- 电机控制-开关电源-不间断电源
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