RN2112MFV,L3F
RN2112MFV,L3F
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN2112MFV,L3F
- 商品编号
- C17560970
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@5mA,0.5mA | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 超小型封装,适用于超高密度安装
- 将偏置电阻集成到晶体管中,可减少元件数量,从而制造出更紧凑的设备并降低组装成本。
- 提供多种电阻值,可用于各种电路。
- 与RN1112MFV、RN1113MFV互补。
应用领域
- 开关
- 反相器电路
- 接口电路
- 驱动电路
- TSS-106-04-SS-D-RA
- 9STD09SAR99E20X
- SIT8208AC-8F-33S-65.000000Y
- DD26M2S5WV5Z/AA
- GCM55Q7U2J273JX01L
- CBC13W6S1S5000/AA
- TBL008V-1000-11BE
- B28B-PNDZS-1(T)(LF)(SN)
- TLV320AIC3107EVM-K
- MAX4899AEEVKIT+
- S4924-185J
- PCHC520R8-R47M-RC
- SG-8018CE 58.3200M-TJHSA0
- DD15S10JT2X
- 0674921731
- SG-8018CB 45.5780M-TJHPA0
- NXRT15XV502FA1B040
- XPCWHT-L1-0000-00JF5
- T2M-110-01-L-D-SM-TR
- SG-8018CB 160.9375M-TJHSA0
- XPGBWT-L1-0000-00GE4


