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UCC5350SBQDRQ1

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描述: UCC5350-Q1是一款单通道隔离式栅极驱动器，源极和漏极最小峰值电流均为5 A，旨在驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。UCC5350-Q1可选择米勒钳位或分离输出功能。CLAMP引脚用于将晶体管栅极连接到输出端之外的内部FET，以防止米勒电流导致的误开启。分离输出选项允许通过OUTH和OUTL引脚分别控制栅极电压的上升和下降时间。UCC5350-Q1采用4 mm SOIC-8 (D)或8.5 mm宽体SOIC-8 (DWV)封装，分别可支持高达3 kVRMS和5 kVRMS的隔离电压。输入侧与输出侧采用SiO₂电容隔离技术进行隔离，隔离屏障寿命超过40年。UCC5350-Q1非常适合在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动IGBT或MOSFET。与光耦合器相比，UCC5350-Q1器件的器件间偏斜更小、传播延迟更短、工作温度更高且共模瞬态抗扰度(CMTI)更高。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC5350SBQDRQ1
商品编号: C17560352
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.104克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	3000
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~15V
	拉电流(IOH)	8.5A
	灌电流(IOL)	10A
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

UCC5350-Q1是一款单通道隔离式栅极驱动器，源极和漏极最小峰值电流均为5 A，旨在驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。UCC5350-Q1可选择米勒钳位或分离输出功能。CLAMP引脚用于将晶体管栅极连接到输出端之外的内部FET，以防止米勒电流导致的误开启。分离输出选项允许通过OUTH和OUTL引脚分别控制栅极电压的上升和下降时间。 UCC5350-Q1采用4 mm SOIC-8 (D)或8.5 mm宽体SOIC-8 (DWV)封装，分别可支持高达3 kVRMS和5 kVRMS的隔离电压。输入侧与输出侧采用SiO₂电容隔离技术进行隔离，隔离屏障寿命超过40年。UCC5350-Q1非常适合在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动IGBT或MOSFET。与光耦合器相比，UCC5350-Q1器件的器件间偏斜更小、传播延迟更短、工作温度更高且共模瞬态抗扰度(CMTI)更高。

商品特性

符合汽车应用AEC-Q100标准的5 kVRMS和3 kVRMS单通道隔离式栅极驱动器
1级温度等级
人体模型(HBM)静电放电分类等级为H2
带电器件模型(CDM)静电放电分类等级为C6
功能选项：分离输出、8 V欠压锁定(UVLO)(UCC5350SB-Q1)；米勒钳位、12 V欠压锁定(UCC5350MC-Q1)
±5 A最小峰值电流驱动能力
3 V至15 V输入电源电压
最高33 V驱动器电源电压
8 V和12 V欠压锁定选项
最小100 V/ns共模瞬态抗扰度
输入引脚具备负5 V处理能力
100 ns(最大)传播延迟和小于25 ns的器件间偏斜
8引脚DWV(8.5 mm爬电距离)和D(4 mm爬电距离)封装
隔离屏障寿命超过40年
安全相关认证：按照UL 1577标准，DWV封装的隔离额定值为5000 VRMS，D封装为3000 VRMS，持续1分钟
CMOS输入
工作结温范围：-40℃至+150℃

应用领域

车载充电器
电动汽车牵引逆变器
直流充电站
暖通空调(HVAC)
加热器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	22ns
	传播延迟 tpLH	100ns
	传播延迟 tpHL	100ns
	静态电流(Iq)	1.67mA
	CMTI(kV/us)	100kV/us
	驱动侧工作电压	9.5V~33V