- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VS-ENZ025C60N
商品参数
参数完善中
商品概述
由于采用了压配引脚，EMIPAK 1B 封装易于使用。外露的基板可提高热性能。优化的布局还有助于最小化杂散参数，从而实现更好的 EMI 性能。
商品特性
- E 系列功率 MOSFET
- 采用 MOAT 和 SiC 二极管技术，符合 RoHS 标准
- 外露的氧化铝（Al₂O₃）基板，具有低热阻
- 低输入电容
- 低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 Qg
- 低内部电感
- 参考 AQG324 指南进行认证
- 压配引脚锁定技术
- IH03BQ101K
- XPGDWT-B1-0000-00L6E
- KI0330510000G
- RSF2B-4R3-JBW
- FLS-110-EK-1391
- SIT1602BC-11-25S-38.000000
- SIT1602BC-82-XXE-30.000000
- SIT1602BC-13-33N-32.768000
- M83513/03-C03C
- BYM11-100-E3/97
- SG-8018CB 10.3448M-TJHSA0
- AWVC00201612220T00
- SIT9365AC-4B2-30N77.760000
- SIT8208AI-GF-33S-18.432000X
- 4302-221G
- SG-8018CB 49.8000M-TJHSA0
- SEN-13905
- SIT8208AI-32-33E-25.000625Y
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- BPSD00060530821M00
- 654M25003C3T