SFH617A-3X017T
DC 5.3kV
- 描述
- 110°C 额定值的产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现爬电距离和电气间隙距离 >8.8mm。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SFH617A-3X017T
- 商品编号
- C17559107
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.35V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5.3kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 70V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,10mA | |
| 上升时间(tr) | 3us | |
| 下降时间 | 14us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 200% | |
| 总功耗(Pd) | - | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
额定温度为110℃的SFH617A(DIP)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为2.54 mm。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离大于8.0 mm。
商品特性
- 工作温度范围:-55℃至+110℃
- 电流传输比(CTR)随正向电流变化具有良好的线性度
- 隔离测试电压:5300 VRMS
- 集电极 - 发射极电压高,VCEO = 70 V
- 饱和电压低
- 开关时间快
- 电流传输比(CTR)衰减小
- 温度稳定性好
- 耦合电容低
- 可端部堆叠,间距为0.100"(2.54 mm)
- 共模干扰抗扰度高
应用领域
- 交流适配器
- 开关电源(SMPS)
- 可编程逻辑控制器(PLC)
- 工厂自动化
- 游戏机
- SG-8002JA 33.0000M-PHCL3 ROHS
- 3-1971773-4
- 629-13W6240-7TE
- SIT8208AC-31-18E-35.840000
- QTM750-175.000MBE-T
- 1722871207
- SG-8018CA 156.250315M-TJHSA0
- 4445R-03M
- SG-8018CB 50.2667M-TJHPA0
- SSO32P1A071-125.000M
- BPDR00070740101K00
- 530AC66M6667DG
- SG-8018CG 32.5000M-TJHPA0
- CBC21W1M100T2S/AA
- L4004L6TP
- SIT8208AI-GF-33S-66.666000T
- TEM-105-02-07.0-H-D-A-K-TR
- 627V234BM14
- M22XP-ASB10-E30-W
- SIT8208AI-2F-25E-74.175824X
- STEVAL-MKIT03V1
