MAX5079 或门 MOSFET 控制器可替代高可靠性冗余、并联电源中的或门二极管。尽管或门肖特基二极管的正向压降较低，但在大电流情况下会产生过多的功耗。MAX5079 允许使用低导通电阻的 n 沟道功率 MOSFET 来替代肖特基二极管，从而实现低功耗、小尺寸，并在高功率应用中无需使用散热片。
MAX5079 的工作电压范围为 2.75V 至 13.2V，内置电荷泵用于驱动高端 n 沟道 MOSFET。如果有至少 2.75V 的辅助电压，工作电压可低至 1V。当控制器检测到 IN 和 BUS 之间存在正电压差时，n 沟道 MOSFET 导通。一旦 MAX5079 检测到 IN 相对于 BUS 电压为负电位，MOSFET 就会关断；当正电位恢复时，MOSFET 会自动重新导通。在故障条件下，或门 MOSFET 的栅极会以 1A 电流下拉，实现 200ns 的超快速关断。反向电压关断阈值可通过外部调节，以避免因电源热插拔导致 IN 或 BUS 出现干扰而意外关断或门 MOSFET。
其他特性包括一个过压保护（OVP）标志，用于在过压情况下方便关闭故障电源；以及一个电源正常（PGOOD）信号，用于指示 VIN 是否低于欠压锁定值或 VBUS 是否处于过压状态。MAX5079 的工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃，采用节省空间的 14 引脚 TSSOP 封装。
