- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
QS8F2TCR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 高功率封装(TSMT8)。
- 低电压驱动(1.5V驱动)。
应用领域
-开关
- 629-5W1-640-1T2
- RSSD25138A22R0JB00
- 09670090715
- DK-QCC5144-VFBGA90-A-0
- SW19STL255
- SIT8208AI-82-18S-4.096000
- 2101924-4
- SIT1602BI-13-30E-40.000000
- DF51-6DP-2DS(50)
- ESH2PB-M3/85A
- SIT8008BI-12-33S-13.560000
- STMM-112-02-T-D-SM
- 70M-ODC5A
- 205555-3
- SIT8209AC-81-28E-133.333000
- 293224-2
- SIT8008AI-23-28E-7.372800
- 0470184000
- ISDF-18-S
- 4-641150-4
- MLPS661M300EB0C