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APTGLQ50VDA65T3G引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APTGLQ50VDA65T3G

APTGLQ50VDA65T3G

商品型号
APTGLQ50VDA65T3G
商品编号
C17558321
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)175W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)70A
集电极脉冲电流(Icm)140A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.85V
栅极阈值电压(Vge(th))5.1V
栅极电荷量(Qg)315nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)3.1nF@25V
输出电容(Coes)116pF
反向传输电容(Cres)90pF
开启延迟时间(Td(on))19ns;19ns
关断延迟时间(Td(off))227ns;197ns
导通损耗(Eon)1.2mJ
关断损耗(Eoff)1mJ
反向恢复时间(Trr)100ns;150ns
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 高速沟槽+场截止IGBT 4技术
  • 低压降、低漏电流、低开关损耗
  • 开尔文发射极,易于驱动
  • 极低的杂散电感
  • 内置热敏电阻,用于温度监测

应用领域

交流和直流电机控制、开关模式电源、功率因数校正(PFC)、交错式PFC

数据手册PDF