商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 在12 GHz频率下增益为10 dB
- 在18 GHz频率下输出功率为26 dBm
- 非常适合高线性度放大器应用
- 采用0.25微米难熔金属/金栅极
- 栅宽为630微米
- 提供芯片和三种封装类型供选择
应用领域
- CPU电源供电、DC-DC转换器
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