HCPL-T250

HCPL-T250包含砷化镓（GaAs）发光二极管（LED）。该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/25 A的IGBT。对于更高额定值的IGBT，HCPL-T250可用于驱动分立功率级，该功率级再驱动IGBT栅极。

• 输入阈值电流(IFLH)：最大5 mA
  • 电源电流(ICC)：最大11 mA
  • 电源电压(VCC)：15 - 35 V
• 输出电流(IO)：最小±0.5 A
• 开关时间(tPLH/tPHL)：最大0.5 μs
• 隔离电压(VISO)：最小3750 Vrms
• 通过UL 1577认证：文件编号E55361
• 通过CSA认证
• 通过IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 2认证，VIORM = 630 V峰值
• 在Vcm = 1500 V时，最小共模抑制比(CMR)为5 kV/μs
• 爬电距离：7.4 mm
• 电气间隙：7.1 mm

• IGBT/MOSFET栅极驱动
• 交流/无刷直流电机驱动
• 工业逆变器
• 开关模式电源