PJT7839_R1_00001
2个P沟道 耐压:60V 电流:250mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT7839_R1_00001
- 商品编号
- C17556430
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 51pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
一款600 W的超耐用LDMOS功率晶体管，适用于HF至128 MHz频段的广播和工业应用。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 -10V、漏极电流(ID)为 -500mA 时,导通电阻(RDS(ON))<4Ω
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -200mA 时,导通电阻(RDS(ON))<6Ω
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -50mA 时,导通电阻(RDS(ON))<13Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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