EV1HMC8413LP2F

EV1HMC8413LP2F由一块4层印刷电路板（PCB）组成，该电路板由10密耳厚的Rogers 4350B和Isola 370HR覆铜板制成，标称厚度为62密耳。EV1HMC8413LP2F上的RFIN和RFOUT端口配备了3.5毫米母同轴连接器，相应的RF走线具有50欧姆的特性阻抗。EV1HMC8413LP2F上安装的组件适用于HMC8413 -40℃至+85℃的整个工作温度范围。为了校准电路板走线损耗，在J1和J2连接器之间提供了直通校准路径。要使用直通校准路径，J1和J2必须安装RF连接器。有关直通校准路径的性能，请参考表1和图3。通过表面贴装技术（SMT）测试点连接器GND和VDD可以访问EV1HMC8413LP2F的接地路径和RFOUT/VDD引脚。还包括一个用于VBIAS的辅助测试点，方便在RBIAS引脚上进行访问（测试点组件见图5）。EV1HMC8413LP2F上的RF走线是50欧姆接地共面波导。封装接地引脚和裸露焊盘直接连接到接地平面。多个过孔连接顶部和底部接地平面，特别关注接地焊盘正下方的区域，以向散热器提供足够的导电和导热性能。EV1HMC8413LP2F上的电源去耦电容代表了用于表征和鉴定该器件的配置。可以减少电容的数量，但这种减少因系统而异。建议在减少电容数量时，首先移除或合并离HMC8413最远的最大电容。有关HMC8413的完整详细信息，请参阅HMC8413数据手册，在使用EV1HMC8413LP2F时，必须结合本用户指南查阅该数据手册。

• 4层Rogers 4350B和Isola 370HR评估板
• 端发射，3.5毫米RF连接器
• 直通校准路径（未安装元件）