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DST847BDJ-7
NPN 电流:100mA 电压:45V
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- 描述
- 特性：双NPN，集电极发射极击穿电压（BVcEO）> 45V（集电极电流Ic = 100mA）。 高集电极电流。 功率耗散PD = 300mW。 封装尺寸1mm²，比SOT23小5倍。 封装高度0.5mm，减少板外轮廓。 有互补PNP类型可选。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DST847BDJ-7
- 商品编号
- C17556202
- 商品封装
- SOT-963
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015354克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@2mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 170MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@100mA,5.0mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 2个NPN |
商品特性
- 双NPN小信号晶体管
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> 45V
- 集电极电流（IC）= 100 mA，高集电极电流
- 功耗（PD）= 300 mW
- 封装占位面积1 mm²，比SOT23小5倍
- 封装高度0.5mm，最小化板外轮廓
- 有互补的PNP型可供选择（DST857BDJ）
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
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