- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RN1112MFV,L3F
RN1112MFV,L3F
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1112MFV,L3F
- 商品编号
- C17554608
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用的东芝硅NPN外延型晶体管（PCT工艺）（内置偏置电阻晶体管）
商品特性
- 超小型封装，适用于超高密度安装
- 晶体管内置偏置电阻可减少元件数量，从而制造更紧凑的设备并降低组装成本
- 有多种电阻值可供选择，适用于各种电路
- 与RN2112MFV、RN2113MFV互补
应用领域
- 开关
- 逆变器电路
- 接口电路
- 驱动电路
- A-DFF 15 LPIII/Z-UNC
- FN9262SB-2-06
- TFM-120-01-LM-D-WT
- CDRH10D48/ANP-470MC
- SG-8018CG 166.1530M-TJHPA0
- TFM-115-02-SM-D-LC-P-TR
- TFM-145-31-F-D
- SG-8018CE 9.2160M-TJHSA0
- SIT8208AC-2F-25E-3.570000T
- 570KBB000100DGR
- DRV8303EVM
- CA-NC-10
- MAX6696YAEE+T
- EHF-110-01-S-D-SM-LC-P
- RCS1005F2150CS
- KF88X-BC-25P-BR
- GMA.0B.025.SN
- 3130-16-0101-00
- SIT8208AC-GF-33S-24.000000Y
- 342-10-108-00-591000
- ATCA-07-851M-H