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RN1112MFV,L3F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RN1112MFV,L3F

RN1112MFV,L3F

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
RN1112MFV,L3F
商品编号
C17554608
商品封装
SOT-723​
包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
属性参数值
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE)120@1mA,5V

商品概述

适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用的东芝硅NPN外延型晶体管(PCT工艺)(内置偏置电阻晶体管)

商品特性

  • 超小型封装,适用于超高密度安装
  • 晶体管内置偏置电阻可减少元件数量,从而制造更紧凑的设备并降低组装成本
  • 有多种电阻值可供选择,适用于各种电路
  • 与RN2112MFV、RN2113MFV互补

应用领域

  • 开关
  • 逆变器电路
  • 接口电路
  • 驱动电路

数据手册PDF