商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 10V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| FET类型 | - |
- 3QHM572D4.0-56.000
- M80-5123442
- PR2-161-JBW
- MILS1812R-474K
- XTEAWT-E0-0000-00000BK2G
- SG-8018CA 91.7500M-TJHSA0
- 1008164
- SIT1602BC-32-XXS-4.000000
- AT04-08PD-SRBR
- 628-3WK3224-2ND
- SG-8018CB 5.1784M-TJHSA0
- 11-231-001-0000
- QTM252E-30.000MCJ-T
- SIT8924BA-72-33E-50.000000
- XCM414B081D2-G
- 1731121358
- 626-009-362-011
- TCET1113
- 830208214909
- IRUPFC2
- RN4905FE,LXHF(CT