RJK5033DPP-M0#T2
1个N沟道 耐压:500V 电流:6A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK5033DPP-M0#T2
- 商品编号
- C17552310
- 商品封装
- TO-220FL
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on) ，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
应用领域
- 背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能
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