- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
F3L150R07W2H3B11BPSA1
F3L150R07W2H3B11BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- 商品编号
- C17552262
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 85A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.86V；1.68V；1.89V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6uC@400V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 9.4nF@650V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 280pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 57ns；59ns；59ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 329ns；359ns；362ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.97mJ；5.77mJ；7.21mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.53mJ；3.79mJ；3.46mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- VCES = 650 V - ICnom = 150 A / ICRM = 300 A - 阻断电压能力提高至650 V - 低电感设计 - 低开关损耗 - 低VCE,sat
- 具有低热阻的Al₂O₃基板
- 紧凑设计
- PressFIT接触技术 - 由于集成安装夹，安装坚固
应用领域
三电平应用、电机驱动、太阳能应用、UPS系统
- JE2835AWT-R-H65EA0000-N0000001
- 531FC000190DGR
- MIL1812-124J
- 3-221132-6
- XMLDCL-H0-0000-00A3ACCE7
- AWHW 14G-0102-T
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- 4302-221J
- 0878320409
- 621-025-268-552
- MS100-GR
- GMA.1B.054.DN
- LRW0805WS3N3GG001E
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