- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN10H220LDV-13
2个N沟道 耐压:100V 电流:10.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H220LDV-13
- 商品编号
- C17552005
- 商品封装
- VDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 366pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 负载开关
- 1990054
- NHD-0220JZ-FSB-GBW
- G1J
- DDMAM50SNM
- SG-8018CG 49.5400M-TJHPA0
- DEMM-9P-Z
- 629-025-340-533
- GCM1555C1H8R8DA16J
- DF81-30P-SHL
- SIT8208AI-83-33E-33.600000
- SIT8208AI-83-25S-38.000000
- EMOLD02702260
- 514KCC002205AAG
- XQEAWT-00-0000-00000H9E8
- CPPC7-A7BP-14.0TS
- SG-8018CA 7.3828M-TJHSA0
- D2650N24TVF
- ISDF-13-D
- 2-2308350-8
- SG-8018CE 150.0500M-TJHSA0
- 660-008NF18U6-108