商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 156mΩ@10V,32.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 562nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.6nF |
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