商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 156mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 562nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.6nF |
商品概述
ARF468A和ARF468B是一对对称的共源射频功率晶体管，专为高达45 MHz的推挽式科学、商业、医疗和工业射频功率放大器应用而设计。它们针对线性和高效工作类别进行了优化。
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定值
- 高耐用性
- 开尔文源极便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5 电源连接器
- 高集成度
应用领域
-电机控制-开关电源-不间断电源
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