商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于基站应用的600 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2170 MHz。
商品特性
~~- 出色的耐用性-高效率-低热阻,提供出色的热稳定性-较低的输出电容,提升Doherty应用性能-低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力-内部匹配,使用方便-集成ESD保护
应用领域
- 适用于2110 MHz至2170 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器