商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于基站应用的600 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2170 MHz。
商品特性
- 在12 GHz时,P1dB为21 dBm
- 在12 GHz时,小信号增益为19 dB
- 0.25微米难熔金属/金栅极
- 非常适合高增益和高线性放大器应用
- 300微米双栅宽
- 可选择芯片和一种封装类型
应用领域
- 适用于2110 MHz至2170 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器