SI4936ADY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4936ADY-T1-GE3
- 商品编号
- C17548272
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V,4.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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