JANTX2N6989
JANTX2N6989
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- JANTX2N6989
- 商品编号
- C17548045
- 商品封装
- TO-116
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 4个NPN |
商品特性
- 晶体管之间的最大电压应≥500Vdc
- 对于2N6989和2N6989U,在TA = +25°C以上,以8.57mW/°C的速率线性降额;对于2N6990,在TA = +25°C以上,以2.286mW/°C的速率线性降额,额定值适用于整个封装
- 额定值适用于阵列中的每个晶体管
- 脉冲测试:脉冲宽度 = 300μs,占空比≤2.0%
- GLK24064-25-E
- 280-019S1S9MEL
- HTSS-115-01-T-DV-A
- 1-1969584-0
- SIT1602BI-83-XXE-60.000000
- M83723/60-116WT
- 660-024M15F4-01
- CBC46W4M10ANT20
- HC1-55564-5
- SIT8209AI-33-28E-155.520000
- SIT8008BCA73-33S-8.000000
- BRF.0T.200.CAZ
- LRC0402CK6N8GV001T
- 160-391KS
- CTCDRH5D28RF-180N
- 660-004NF16F6-06
- XPEWHT-L1-0000-008E8
- 214014-E
- XPGBWT-H1-R250-00CE8
- JB2835BWT-J-U35GA0000-N0000001
- 5040501191

