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PSMN6R4-30MLD,115

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品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN6R4-30MLD,115
商品编号: C17547857
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3系列采用恩智浦（Nexperia）独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，实现了高效率和低尖峰性能，通常只有集成肖特基或类似肖特基体二极管的MOSFET才具备这种性能，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。

商品特性

超低的QG、QGD和QOSS,可实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
具有软恢复功能的超快开关;s因子 > 1
低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;在25°C时漏电流 < 1 μA,具备类似肖特基的性能
针对4.5 V栅极驱动进行优化
低寄生电感和电阻
高可靠性的夹片键合和焊片连接Mini Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下工作
外露引脚便于进行最佳的目视焊接检查

应用领域

服务器和电信的板载DC-DC解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
电压调节模块(VRM)
负载点(POL)模块
V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
有刷和无刷电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	66A
	导通电阻(RDS(on))	8.3mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	51W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	19nC@10V
	输入电容(Ciss)	832pF
	反向传输电容(Crss)	64pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	587pF