- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT65GP60L2DQ2G
- 商品编号
- C17546782
- 商品封装
- TO-264-3,TO-264AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 833W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 198A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 250A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V；2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.7V@15V,65A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.4nF | |
| 输出电容(Coes) | 580pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 90ns | |
| 导通损耗(Eon) | 605uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 895uJ；1.47mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 25ns；160ns；85ns；22ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 400V、54A时可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 400V、76A时可实现50kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具备安全工作区额定值
- F-3112X
- 14920F0GHSX13103KA
- 510CCA100M000BAGR
- 581-06-30-004
- 590KD80M0000DG
- LRW0402WJ9N0GG001T
- SG-8018CA 12.9876M-TJHPA0
- CPPLC7L-A7BR-24.0TS
- TPS65720EVM-515
- SIT1602BC-13-28N-7.372800
- MS3437A55N
- GP55-2152-FBW
- 750313442
- XPEBWT-P1-R250-006Z8
- 09185407902
- K85X-CD-37P-30
- BLU0603-3481-BT25W
- 1830G1-LPBK
- SG-8018CB 15.0550M-TJHSA0
- SIT8208AI-GF-28E-4.096000X
- FWLF-1631-51-C