SLG59H1126V-EVB

SLG59H1126V 是一款高性能、自供电的 18 mΩ NMOS 负载开关，专为所有 4.5 V 至 12 V、最高 6 A 的电源轨设计。采用专有的 MOSFET 设计，该器件可在宽输入电压范围内实现稳定的 18 mΩ RDS(ON)。通过结合创新的 FET 设计和铜柱互连，其封装还展现出低热阻特性，适合大电流工作。该器件设计工作温度范围为 -40 ~ 85 °C，采用低热阻、符合 RoHS 标准的 1.6 × 3.0 mm STQFN 封装。

• 宽工作输入电压范围：4.5 V 至 13.2 V
• 最大连续电流：6 A
• 自动 nFET 安全工作区保护
• 5 W 安全工作区保护阈值
• 高性能 MOSFET 开关，低 RDS(ON)：在 VIN = 12 V 时为 18 mΩ，RDS(ON) 随 VIN 变化率低：< 0.05 mΩ/V，RDS(ON) 随温度变化率低：< 0.06 mΩ/°C
• 2 级、引脚可选 VIN 过压锁定
• 电容可调的浪涌电流控制
• 两级电流限制保护：电阻可调的有源电流限制，内部短路电流限制
• 开漏故障信号指示
• MOSFET 电流模拟输出监测：10 μA/A
• 快速的 4 kΩ 输出放电
• 无铅/无卤素/符合 RoHS 标准的封装

• 企业计算与电信设备
• PCI/PCIe 适配卡
• 通用高压电源轨切换
• 多功能打印机
• 风扇电机控制