Name: NTE Electronics NTE5555
Brand: NTE Electronics
SKU: C17542590
Price: 769.17 CNY
Availability: OutOfStock

重复峰值电压 VRRM, VDRM, VDSM 为 600V
非重复峰值反向阻断电压 VRSM 为 700V
平均通态电流 (半正弦波) IT(AV) 在散热片温度 +55℃ (双面冷却) 下为 735A
有效值通态电流 IT(RMS) 在散热片温度 +25℃ (双面冷却) 下为 820A
连续通态电流 IT 在散热片温度 +25℃ (双面冷却) 下为 1230A
单周期峰值浪涌电流 ITSM (1) (10ms 持续时间，重新施加 60% VRRM) 为 7600A
非重复性通态浪涌电流 ITSM (2) (10ms 持续时间，VR ≤ 10V) 为 8360A
峰值正向栅极电流 IFGM (阳极相对于阴极为正) 为 20A
峰值正向栅极电压 VFGM (阳极相对于阴极为正) 为 18V
峰值反向栅极电压 VRGM 为 5V
平均栅极功率 PG 为 2W
峰值栅极功率 PGM (100μs 脉冲宽度) 为 100W
断态电压上升率 dv/dt (至 80% VDRM，栅极开路) 为 200V/μs
通态电流上升率 di/dt (栅极驱动 20V, 20Ω，上升时间 ≤ 1μs，阳极电压 ≤ 80% VDRM) 重复性为 500A/μs，非重复性为 1000A/μs
工作温度范围 Ths 为 -40℃ 至 +125℃
存储温度范围 Tstg 为 -40℃ 至 +150℃
热阻，结到散热片 Rth(j-hs) (针对具有最大正向压降特性的器件) 双面冷却为 0.05℃/W，单面冷却为 0.1℃/W
峰值通态电压 VTM (ITM = 1550A) 为 1.78V
正向导通阈值电压 V0 为 1.03V
正向导通斜率电阻 r 为 0.483mΩ
重复峰值断态电流 IDRM (在 VDRM 下) 为 40mA
重复峰值反向电流 IRRM (在 VRRM 下) 为 40mA
最大栅极触发电流 IGT (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25℃) 为 150mA
最大栅极触发电压 VGT (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25℃) 为 3V
最大维持电流 IH (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25℃) 为 500mA
最大不触发任何器件的栅极电压 VGD 为 0.25V

	属性	参数值
	商品目录	晶闸管(可控硅)/模块
	可控硅类型	1个单向可控硅
	断态峰值电压(Vdrm)	600V
	通态电流(It)	820A
	通态峰值电压(Vtm)	1.78V

	属性	参数值
	门极触发电流(Igt)	150mA
	门极触发电压(Vgt)	3V
	保持电流(Ih)	500mA
	工作温度	-40℃~+125℃

NTE5555

商品参数

商品特性

数据手册PDF