DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- 商品编号
- C17542346
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
商品特性
- 电气特性：
- 漏源击穿电压（V_DSS） = 2000 V
- 额定电流（I_DN） = 60 A / 重复峰值电流（I_DRM） = 120 A
- 高电流密度
- 低电感设计
- 机械特性：
- 由于集成安装夹，安装坚固
- PressFIT 接触技术
- 集成 NTC 温度传感器
应用领域
根据 IEC 60747、60749 和 60068 的相关测试，适用于工业应用
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