商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 251A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.042kW |
商品概述
MSCSM120HM083AG器件是一款全桥1200V、251A碳化硅（SiC）功率模块。
商品特性
- 碳化硅功率MOSFET - 低导通电阻（RDS(on)），高温性能良好
- 开尔文源极，易于驱动
- 低杂散电感
- M5电源连接器
- 采用氮化铝（AlN）基板，提升热性能
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动
- 3QHM572C2.0-66.666
- NTE569
- SXO32C3C161-14.7456M
- 620-053UC08A
- 460-10-258-00-001000
- C159M
- 1015459
- 16_N-50-7-30/133_NE
- SIT1602BC-22-28E-38.000000
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- 5204-0031-60
- 3QHM572C1.5-100.640
- M29504/14-4132C
- TSM32-H50HM18ST-30.000M
- 10-497448-075
- SIT1602BC-72-33E-33.333330
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- EJH-109-01-S-D-TH
- 712-83-154-41-001101
- SIT8208AC-82-18S-74.175824