商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
这些开发板采用单片半桥拓扑结构,配备板载栅极驱动器,采用 EPC2103 eGaNIC(增强型氮化镓集成电路)。这些开发板的目的是简化这些单片集成 eGaN FET 的评估过程,将所有关键组件集成在一块板上,可轻松连接到任何现有的转换器中。开发板尺寸为 2 英寸×2 英寸,包含一个采用德州仪器 LM5113 栅极驱动器的半桥配置 eGaNIC、电源和旁路电容。该板包含所有关键组件和布局,以实现最佳开关性能,并且有额外空间可在板上添加降压输出滤波组件。还有各种探针点,便于进行简单的波形测量和效率计算。
- SIT1602BIB11-30S-54.000000
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- NTE4995
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